大尺寸范围:可制备小至单原子,大至直径大于10nm团簇;
窄尺寸分布:无质量选择条件下,团簇直径分布小于±10%;
广材料种类:可制备大部分金属,部分半导体、绝缘体团簇;
原子气产生:可配备蒸发源、磁控溅射、火花烧蚀等产生源;
气相冷凝腔:液氮、水冷;气压、温度可控;冷凝距离可调;
多沉积形式;兼容金属、玻璃、陶瓷、聚合物等衬底或粉末;
高束流流量:典型金属团簇束流>1nA;其他团簇束流>100pA;
稳沉积能量:精确可调,可实现团簇软着陆沉积、高能撞击;
计算机控制:功能软件控制,运行日志存档,实验参数调用;