描述
SOLUTION
解决方案
利用原子团簇束流加工技术突破微制造技术的限制,用于无损伤清洗、选择性刻蚀、原子级平坦化、超浅层离子注入、原子级沉积等半导体加工前道工序和团簇沉积。
731-8
Non-destructive Cleaning
无损伤清洗
Non-destructive Cleaning
我们的无损伤清洗技术采用原子级团簇束流,能够在8寸晶圆上去除晶圆制造过程中的纳米级颗粒、自然氧化层、金属污染、有机物等杂质。
Selective Etching
选择性刻蚀
Selective Etching
该服务实现了对不同材料的选择性刻蚀,可对不同材料微结构进行精细化处理,实现无掩模图像化。
Atomic Planarization
原子级平坦化
Atomic Planarization
我们的原子级平坦化技术能够将材料表面处理至原子级别的平坦度,Ra<0.5nm,平整度高,为后续工艺提供理想的基底。
Superficial Ion implantation
超浅层离子注入
Superficial Ion implantation
超浅层离子注入服务可实现亚5nm超浅层离子注入,分辨率可达0.6nm,能精准控制注入深度、浓度和分布。该技术对于提升半导体器件的性能至关重要,能够有效改善电气特性,满足现代集成电路对高性能和高密度的需求。
Atomic Layer Deposition
原子级沉积
Atomic Layer Deposition
原子级沉积能帮助您精确操纵原子,最薄可沉积单原子的超薄膜。该技术能达到极好的三维保形性,能获得高平整性、附着性,还适用于不同形状的基底。
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扩维原子科技