可制备小至单原子,大至直径大于10nm团簇
无质量选择条件下,团簇直径分布小于±10%
可制备大部分金属,部分半导体、绝缘体团簇
可配备蒸发源、磁控溅射、火花烧蚀等产生源
液氮、水冷;气压、温度可控;冷凝距离可调
兼容金属、玻璃、陶瓷、聚合物等衬底或粉末
典型金属团簇束流>1nA;其他团簇束流>100pA
精确可调,可实现团簇软着陆沉积、高能撞击
功能软件控制,运行日志存档,实验参数调用
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